Рейтинг@Mail.ru

Samsung анонсировала модули памяти, изготовленные по технологии 30 нм

Андрей Елисеев, опубликовано 4 февраля 2010 г.

Рубрика: Новые технологии

Корейская компания Samsung знаменита многими достижениями, и в первую очередь тем, что данный производитель уже неоднократно заставлял нервничать японских гигантов, считающихся лидерами во всех сферах электроники. На сей раз Samsung представила очередную инновационную разработку — модуль оперативной памяти DDR3, изготовленный по технологии 30 нм. Компоненты имеют емкость 2 гигабита и потребляют на 30% меньше электроэнергии по сравнению с предыдущими модулями, основанными на технологическом процессе 50 нм.

Рабочее напряжение памяти нового поколения составляет 1,5 и 1,35 вольт, а в серийное производство эти модули поступят только во второй половине 2010 года. Главным же достоинством новых планок DDR3 является их низкая себестоимость, которая, несомненно, обеспечит успех данному продукту.